台积电3nm制程工艺良品率目前预计最高63%尚不及4nm

栏目:财经新闻    来源:TechWeb    阅读量:9632   作者:文辉    发布时间:2023-04-19 10:59   

,据外媒报道,台积电仍采用鳍式场效应晶体管架构的3nm制程工艺,在去年的12月29日正式开始商业化生产,量产之后产能在不断提升。

对于台积电量产已一个季度的3nm制程工艺,有外媒在报道中预计目前的良品率为63%或更低。

就外媒在报道中提到的良品率而言,台积电3nm制程工艺目前的良品率,同更早投产的4nm还是有差距。外媒在报道中表示,台积电4nm制程工艺的良品率目前预计在80%左右。

虽然目前台积电3nm制程工艺的良品率,预计同4nm还有差距,但随着量产时间的延长,良品率还会继续提升,未来有望达到甚至超过4nm工艺的水平。

全球目前有两家晶圆代工商已量产3nm制程工艺,另一家是三星电子。三星电子的3nm制程工艺在去年的6月30日量产,较台积电早近半年,所代工的首批晶圆,也已在去年的7月25日发货。

不过外媒在报道中,并未提及三星电子3nm制程工艺目前的良品率,但他们表示三星电子4nm制程工艺的良品率有明显提升,最少达到了70%,已接近台积电4nm制程工艺的良品率。

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台积电3nm制程工艺良品率目前预计最高63%尚不及4nm